CUADRO CRONOLÓGICO CON LA HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

RAM

CUADRO CRONOLOGICO CON LA HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

NOMBRE	AÑO	DESCRIPCION
FPM-RAM	1990	Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz
EDO-RAM	1994	Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).
BEDO-RAM	1997	Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador.
SDR SDRAM            --PC66            --PC100            --PC133	1997-1999	Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios.
DDR-SDRAM              PC1600-DDR200              PC2100-DDR266             PC3200-DDR400             PC4200-DDR533             PC4800-DDR600            PC5300-DDR667            PC6400-DDR800            DDR3-800            DDR3-1066            DR3-1333           DDR3-1600            DDR3-1800            DDR3-2000	2001-2008	Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz).
RDRAM            RAMBU S PC600            RAMBU S PC700            RAMBU S PC800	1999	También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit
ESDRAM	1999	Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
FLASH MEMORY	1984-1988	Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC.