CUADRO CRONOLÓGICO CON LA HISTORIA DE LA MEMORIA ROM

ROM

CUADRO CRONOLOGICO CON LA HISTORIA DE LA MEMORIA ROM

NOMBRE	AÑO	DESCRIPCION
INVENCION DE LA ROM	1948	Se crea la primera ROM (Read Only Memory), este chip era grabado una sola vez y luego no era posible modificar la información almacenada en el mismo. Se utilizaba el método “Mask programmed” para grabar la información en estos chip
NACIMIENTO DE LA PROM	1956	Wen Tsing Chow inventa la memoria PROM (Programmable Read Only Memory), fue inventada especialmente para el ejército de los Estados Unidos. Esta permitía almacenar información una sola vez y podía quedar almacenada si se le quitaba la energía eléctrica. Se programaba con el método “Mask programmed”, poseía fusibles internamente y los cuales eran quemados o no con voltajes de 12 a 20 voltios para representar el 0 y 1 respectivamente.
INVENCION DE LA PROM	1971	El ingeniero Dov Frohman inventa la EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria del tipo no volátil, estaba formada por celdas FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection Metal Oxide Semiconductor). Se programaba con pulsos eléctricos y se borraba a través de luz ultravioleta, el tiempo de borrado es alrededor de 20 minutos y puede almacenar información por más de 10 años. Tenía capacidades de 256 bytes hasta 1 Mbyte
INVENCION DE LA EEPROM	1971	George Perlegos inventa la memoria EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). Memoria de tipo no volátil, era programada y borrada a través de pulsos eléctricos lo que permitía reducir el tiempo de programado y borrado a diferencia de la EPROM. Las celdas están formadas por transistores MOS y con estructura SAMOS. Tiene un tiempo de borrado y lectura de 1 s y 200 ns respectivamente. Puede ser borrada y reprogramada 100,000 veces.
INVENCION DE LA MEMORIA EEPROM FLASH	1980	Fujio Masuoka inventa la memoria EEPROM Flash. El método de borrado y programado es a través del efecto Tunneling de pulsos eléctricos. Tiene un tiempo de borrado y escritura de 5 ms, un tiempo de lectura de 35ns. Se borra por bloques de 1 a 1,024 bytes y tiene una vida útil de 10,000 ciclos
MEMORIA NOR	1988	Intel desarrolla la memoria flash tipo NOR, esta contenía una arquitecutra de transistores en paralelo y una de las ventajas principales era que podía ejecutar el código directamente. Se borra en bloques de 128 Kbytes en un tiempo de 5 s, tiene un tiempo de borrado y escritura de 100,000 ciclos. Una de las desventajas principales era la capacidad pequeña
MEMORIA FLASH NAND	1989	Toshiba desarrolla la memoria flash de tipo NAND. Tenía una arquitectura de transistores en serie, se borraba en bloques de 32 Kbytes en 4ms. Un ciclo de borrado y programado de 1,000,000. Una ventaja principal es que puede llegar a tener cantidades grandes de almacenamiento, y una de las desventajas es que no puede ejecutar código directo como la NOR.